КНІГІ ОНЛАЙН
Беларуская энцыклапедыя Т. 1
Беларуская энцыклапедыя Т. 9
Беларуская энцыклапедыя Т. 13
Беларуская энцыклапедыя Т. 15
Беларуская энцыклапедыя Т. 16
П., у якім канцэнтрацыя электронаў праводнасці намнога болыпая за канцэнтрацыю дзірак, наз. П. лтыпу, у якім больш дзірак — ртьшу. Паводзіны носьбітаў зараду ў крышт. П. алісваюцца зоннай тэорыяй. Запоўненыя электронныя станы (узроўні энергіі) валентнай зоны аддзелены ад вакантных станаў зоны праводнасці забароненай зонай (энергетычнай шчылінай). Дамешкавыя атамы і дэфекты крышт. структуры прыводзяць да з’яўлення энергетычных станаў у забароненай зоне (радзей у зоне дазволеных энергій), але паняцце забароненай зоны захоўвае сэвс. Дамешкавыя атамы ў П. могуць набываць зарад (донары — дадатны, акцэптары — адмоўны), які кампенсуецца з’яўленнем электрона ў зоне праводнасці ці дзіркі ў валентнай зоне. Эл. акгыўнасць дамешкавага атама абумоўлена тым, што ён мае інш. валентнасць, чым замешчаны ім атам крышт. матрыцы (рашоткі). Калі дамешкавы атам замяшчае ў крышт. рашотцы атам з той жа групы перыад. сістэмы элементаў (ізавалентнае замяшчэнне), то, часцей за ўсё, ён электрычна неактыўны і не ўтварае лакалізаваны стан. Ізавалентныя дамешкі могуць уваходзіць у крышт. рапіотку ў вял. канцэнтрацыях і ўтвараць цвёрдыя растворы. У іх размяшчэнне вузлоў рапіоткі мае далёкі парадак, але атамы замяіпчэння размяшчаюцца ў гэтых вузлах хаатычна. Бясшчылінныя П. маюць нулявую шырыню забароненай энергет. зоны. Ад тыповых П. (германій, крэмній) іх адрознівае адсутнасць парогавай энергіі, неабходнай дая паяўлення электрондзірачнай пары, ад металаў — значна меншая канцэнтрацыя элекгронаў праводнасці. ПАЎПУСТЫННЫЯ 231 На Беларусі даследаванні па фізіцы П. вядуцца з пач. 1960х г. у Інце фізікі цвёрдага цела і паўправаднікоў, Інце фізікі, Інце электронікі Нац. АН, БДУ і інш. Літ:. БончБруевнч В.Л., Калаш н н к о в С.Г. Фнзнка полупроводнлков. 2 нзд. М., 1990; Вавнлов В.С. Алмаз в твердотельной электронпке // Успехн фнз. наук. 1997. Т. 167, №1; Yu P.Y., Cardona М. Fundamentals of semiconductors. 2 ed. Berlin, 1999; Seeger K. Semiconductor Physics. 7 ed. Berlin, 1999. М.А.Паклонскі. ІІАЎПРАВАДНІКбВЫ ДЫЁД. двухэлекгродная паўправадніковая прылада, прынцып дзеяння якой заснаваны на ўласцівасцях ^лпераходу (найб. пашырана), кантакту метал—паўправаднік (гл. Шоткі дыёд) або аб’ёмных эфекгаў у аднародным паўправадніку (гл. Гана дыёд). Вырабляюода на аснове германію, крэмнію, арсеніду галію і інш. Паводле канструкцыйных асаблівасцей адрозніваюць кропкавыя П.д. (да паўправадніковага крышталя прыціскаецца спружынная метал. іголка) і плоскасныя П.д. (атрымліваюць метадамі дыфузіі і ўплаўлення дамешкаў, іоннай імплантацыі, эпітаксіяльнага нарошчвання, вакуумнага напылення і інш.). Вызначаюцца малымі габарьггнымі памерамі, масай і спажывальнай магугнасцю, вял. тэрмінам службы і інш. Выкарыстоўваецда ў радыётэхніцы ў шырокім дыяпазоне частот для выпрамлення пераменнага току (сілавы, ці выпрамны П.д.), генерыравання і ўзмацнення эл. ваганняў (напр., лавіннапралётны, тунэльны і парамегрычны дыёды), пераўтварэння частаты (змяшальны і памнажальны ЗВЧдыёды), дэтэктыравання мадуляваных ваганняў, стабілізацыі напружання (стабілітрон) і інш. В.К.Кананенка. ПАЎПРАВАДНІКОВЫ ДЭТЭКТАР у ядзернай фізіцы, прылада для рэгістрацыі іанізавальных выпрамяненняў, асн. элемент якой — крышталь паўправадніка. Адчувальны слой П.д. — вобласць паўправадніка паблізу рлпераходу, якая абеднена носьбігамі току і мае высокае эл. супраціўленне. Іанізавальная часціца, што пранікла ў крышталь, генерыруе дадатковыя (нераўнаважныя) носьбіты току (электроны і дзіркі), у выніку чаго ў знешнім ланцугу ўзнікае імпульс току, які ўзмацняецца і рэгіструецца. Зарад, сабраны на электродах П.д., прапарцыянальны энергіі, выдзеленай часціцай пры праходжанні праз адаувальны слой. Можа працаваць як спектрометр, калі часціца поўнасцю тармозіцда ў ім. Выкарыстоўваюцца ў ядз. фізіды, фізіцы элементарных часціц, а таксама ў хіміі, геалогіі, медыцьше і прамсці. ПАЎПРАВАДНІКОВЫ ЛАЗЕР, лазер з паўправадніковым крышталём у якасці рабочага рэчыва. Асаблівасці — высокая эфекгыўнасць пераўгварэння эл. энергіі ў энергію кагерэнтнага выпрамянення, малая інерцыйнасць, машымасць перастройкі даўжыні хвалі выпрамянення і інш. У П.л. ўзбуджаюцца і вьшрамяняюць (калектыўна) атамы крышт. рашоткі, што вызначае малыя памеры і кампакгнасць прылады. У адрозненне ад лазераў інш. тыпаў у П.л. выкарыстоўваюцца выпрамяняльныя квантавыя пераходы паміж дазволенымі энергет. зонамі крышталёў (гл. Зонная тэорыя, Цвёрдае целау. пры рэкамбінацыі электронаў і дзірак вызваляецца энергія, якая выпрамяняецца ў выглядзе квантаў святла (люмінесцэнцыя) ці перадаецца ўсяму крышталю, як цеплавая энергія. У некаторых паўправадніках, напр. у арсенідзе галію, доля выпрамененай энергіі набліжаецца да 100%. Важнейшы спосаб пампоўкі ў П.л. — інжэкцыя праз рлпераход ці гетэрапераход (інжэкцыйны П.л.), што дазваляе непасрэдна пераўтвараць эл. энергію ў кагерэнтнае вьшрамяненне. Інш. спосабы пампоўкі: эл. прабой (стрымерны П.л.), бамбардзіроўка электронамі (П.л. з электроннай пампоўкай) і аптычная пампоўка. П.л. выкарыстоўваюцца ў аптычнай сувязі і лакацыі, спец. аўтаматыцы, оптаэлектроніцы, тэхніцы спец. асвяглення (напр., скарасной фатаграфіі), для вызначэння забруджванняў і дамешкаў у розных асяроддзях, для лазернага праекцыйнага тэлебачання, В.К.Кананенка. ПАЎПРАВАДНІкбвЫ НЕРАХОД. вобласць прасторавага зараду, якая прымыкае да мяжы падзелу металу і паўправадніка (Шоткі дыёдў двух розных паўправаднікоў (гетэрапераход) ці дзвюх розных абласцей аднаго паўправадніка (электроннадзірачны пераход), якія знаходзяцца ў эл. кантакце. ПАЎПРАВАДНІКОВЫЯ МАТЭРЫЯЛЫ. рэчывы з выразна выяўленымі ўласцівасцямі паўправаднікоў у шырокім інтэрвале тэмператур, прызначаныя для вырабу паўправадніковых прылад. У адрозненне ад металаў элекграправоднасць у П.м. павялічваецца з росгам тры. П.м. адчувальныя да знешніх уздзеянняў (награванне, апрамяненне, дэфармаванне і інш.), да наяўнасці ў іх дамешкаў і структурных дэфекгаў. Асн. галіна выкарыстання — мікраэлектроніка. Найб. пашыраныя П.М.: крэмній, германій, алмаз, крэмнію карбід, злучэнні некаторых элементаў III і V (GaAs, InSb, GaN і інш.), II і VI (CdSe, ZnTe і інш.) груп перыядычнай сістэмы. Літ.: Мнльвндскнй М.Г. Полупроводнмковые матерналы в современной электронлке. М., 1986; Пасынков В.В., Сорокнн В.С. Матерналы электронной техннкн. 2 нзд. М., 1986; Солнмар Л., У о л ш Д. Лекцгш по электрнческнм свойствам матерналов: Пер. с англ. М., 1991. М.А.Паклднскі. ПАЎПРАВАДНІКбВЫЯ ПРЫЛАДЫ, прылады, дзеянне якіх заснавана на электронных працэсах у паўправадніках. Адрозніваюць прылады на аснове аднародных паўправаднікоў (фотарэзістар, Гана дыёд і інш.) і паўправадніковых пераходаў (электроннадзірачны пераход, гетэрапераход, Шоткі дыёд і інш.). У П.п. выкарыстоўваюцца працэсы, абумоўленыя адчувальнасцю паўправаднікоў да знешніх уздзеянняў (змены тры, апрамянення, свягла, эл. і магн. палёў і інш.), іх паверхневыя ўласцівасці (кантакты паўправаднік— метал, паўправаднік—дыэлектрвік і іх спалучэнні), а таксама залежнасць уласцівасцей паўправадніковых узораў ад іх памераў. Адрозніваюць П.п. дыскрэтныя (асобныя вырабы) і інтэгральныя (актыўныя элементы маналітных інтэгральных схем). П.п. выкарыстоўваюцца для апрацоўкі эл. сігналаў (паўправадніковы дыё'д, транзістар, тырыстар), пераўгварэння сігналаў аднаго віду ў другі (паўпраеадніковы лазер, фотатранзістар і інш.), атрымання адных відаў энергіі з іншых (тэрмаэлемент, сонечная батарэя і інш.), успрвімання відарысаў (прылада з зарадавай сувяззю), пераўтварэння мех. і магн. велічынь у электрычныя (тэнзарэзістар, Хола пераўтваральнік), рэгістрацыі часціц (паўправадніковы дэтэктар), эмісіі элекіронаў у вакуум (халодны катод) і інш. На Беларусі распрацоўкай і вытвсцю П.п. займаюцца ў навук.вытв. аб’яднанні «Інтэграл» і Маладзечанскім вытворчым аб’яднанні «Электрамодуль». Літ.: Зн С.М. Фнзнка полупроводннковых прнборов: Пер. с англ. Кн. 1—2. 2 нзд. М., 1984; Пасынков В.В., Чнркнн Л.К. Полупроводнмковые прпборы, 4 нзд. М., 1987; Грмбковскнй В.П. Полупроводннковые лазеры. Мн., 1988; М а л л е р Р., Кейміінс Т. Элементы ннтегральных схем: Пер. с англ. М., 1989; Внкулнн Н.М., С т а ф е е в В.Н. Фнзнка полупроводннковых прнборов. 2 нзд. М., 1990. М.А.Паклонскі. ПАЎПРАВІЛЬНЫ МНАГАГРАННІК, Архімеда цела, мнагаграннік, усе грані якога — правільныя многавугольнікі розных відаў, а мнагагранныя вуглы кангруэнтныя або сіметрычныя. Існуе 13 розных тыпаў выпуклых П.м. і 2 бясконцыя серыі (прызмы і антыпрызмы), нявыпуклых (зоркападобных) П.м. больш за 51. ГІАЎІІРАМАЯ, сукутінасць пункгаў прамой, якія ляжаць з аднаго боку ад зададзенага пункта гэтай прамой. Каардынаты пункгаў П. задавальняюць няроўнасць х > а (ці х < а), дзе a — пастаянная. Калі сам пункт х = а (мяжа П.) належыць да П., то П. лічыцца замкнутай (ці промнем). ПАЎПРАСТОРА, сукупнасць пункгаў прасторы, якія ляжаць з аднаго боку ад зададзенай плоскасці. Каардынаты пункгаў П. задавальняюць няроўнасць Ах + + By + Cz + D > 0 (ці Ax + By + Cz + + D < 0), дзе A, В, С і D — пастаянныя, адначасова не роўныя нулю. Калі сама плоскасць (мяжа П.), якая задаецца ўраўненнем Ax + By + Cz + D = 0, належыць да П., то П. лічыцца замкнутай. ІІАЎПРАХАДНЫЯ РЫБЫ, экалагічная група рыб, для якой харакгэрна размнажэнне ў прэсных водах, кармленне (нагул) — у саланаватых водах перадвусцевых раёнаў мора. П.р. займаюць прамежкавае становішча паміж жылымі і прахаднымі рыбамі. На Беларусі да П.р. патэнцыяльна належаць лешч, сазан, сом, судак, чахонь, некат. сігі і інш., хоць яны пастаянна жывуць у прэснаводных унутр. вадаёмах. ПАЎПУСТЫННЫЯ ЗОНЫ, прыродныя зоны сушы з перавагай ландшафтаў паўпустынь. Займаюць прамежкавае становішча паміж пустыннай зонай і стэпавай зонай (ва ўмераных і субтрапічных паясах), зонай пустынь і саваннавай зонай (у трапічным поясе). Пашыраны на ўсіх мацерыках, акрамя Антарктыды, пераважна ў зах. прыакіянскіх і ўнутрымацерыковых секгарах. Клімат сухі кантынентальны, апад 232 паўпустыня каў 300 мм за год (у 3—6 разоў менш за выпаральнасць). Лета гарачае (сярэдняя тра паветра 20—25 °C, у тропіках да 30 °C), зіма ў межах зоны паўпустынь умеранага пояса Паўн. паўшар’я халодная (сярэдняя тра студз. да 20 °C), у больш нізюх шырагах — цёплая (0—10 °C у субтропіках, 12—20 °C у тропіках). Рэкі ў сухую пару года перасыхаюць. Глебы светлакаштанавыя, бурыя, шэракарычневыя і шэразёмы, чырвонабурыя, трапляюцца засоленыя глебы, участкі незамацаваных пяскоў. Расліннасць разрэджаная, з перавагай злакавапалыновых асацыяцый (у Еўропе і Азіі) і кусцікавых (на інш. мацерыках). Выкарыстоўваецца як паша, земляробства развіта на арашальных землях.